光伏電池是有效利用太陽能的重要手段。眾多類型的光伏電池中，單晶硅太陽能電池技術(shù)已經(jīng)確立光伏產(chǎn)業(yè)顯著的優(yōu)勢地位。P型單晶硅發(fā)展較早，主流產(chǎn)品經(jīng)歷了BSF電池，PERC電池以及雙面PERC+電池的不斷發(fā)展，電池效率已逐漸接近瓶頸。與之相比，N型硅片具有較長的少子壽命、更小的光致衰減，公認(rèn)未來高效光伏電池發(fā)展將切換到N-Topcon、HJT等N型電池方向。

基于N型硅片的異質(zhì)結(jié)電池(Heterojunction with Intrinsic Thin-Layer， HIT) ，結(jié)合了薄膜太陽能技術(shù)，理論效率達(dá)27%以上，是已知量產(chǎn)電池中相對效率最高的結(jié)構(gòu)，成為了下一代電池技術(shù)的最有力競爭者。

HJT電池的特點(diǎn)與優(yōu)勢

◇ 結(jié)構(gòu)對稱，正背面受光后均可發(fā)電

典型的結(jié)構(gòu)如圖1所示。在封裝為雙面電池后，可獲得近10%發(fā)電增益。

◇ 較長的少子壽命

受益于本征非晶硅的良好對缺陷的鈍化以及更大的禁帶寬度，電池的開路電壓高。

◇ 溫度和光照穩(wěn)定性好

HJT電池溫度系數(shù)小，在弱光和光照升溫條件下輸出特性衰減較少，無Staebler-Wronski效應(yīng)，幾乎無光致衰減。

◇ HJT在N型單晶硅上結(jié)合低溫薄膜工藝，制作工序少

典型的制作工藝為如圖2所示，整個(gè)工藝通常不超過200℃，硅片本身受熱損傷和熱型變影響小，可以使用更薄的硅片。

基于以上特點(diǎn)，HJT電池實(shí)驗(yàn)室轉(zhuǎn)換效率達(dá)到25%，結(jié)合IBC技術(shù)的HBC電池突破26%，目前采用MBB多主柵、光注入退火，RPD等增效技術(shù)，量產(chǎn)平均效率在近期也可望突破24%，與傳統(tǒng)PERC和N-Topcon相比效率極具競爭力。然而，受高昂的成本制約，主流市場HJT仍然難以對抗傳統(tǒng)PERC電池的性價(jià)比優(yōu)勢。因此，兼顧提效基礎(chǔ)上的降本是HJT產(chǎn)業(yè)的重中之重。

HJT的降低成本路線

(1)HJT采用了與傳統(tǒng)晶硅電池工藝設(shè)備不兼容的薄膜沉積的技術(shù)，設(shè)備一次投資高，帶來成本的上升，通過推動(dòng)HJT產(chǎn)業(yè)規(guī)?；l(fā)展，設(shè)備成本有望持續(xù)下降，接近與PERC持平。

(2)N型硅片市場價(jià)格高于P型，隨著P型硅片的大幅降價(jià)，HJT電池N型硅片的價(jià)格劣勢被進(jìn)一步放大，將硅片薄片化可以有效降低電池硅耗量，節(jié)約生產(chǎn)成本。

(3)目前，銀漿的使用是HJT工藝中極為重要的成本組成，采用的低溫銀漿需要很好的平衡電阻率、浸潤接觸，焊接拉力以及印刷性等性能要求。由于HJT雙面絲網(wǎng)印刷，銀消耗達(dá)到燒結(jié)型銀漿的3倍，往往占電池非硅成本一半以上。采用的低溫銀漿通常為潛伏性固化型，需要低于室溫保存，冷鏈運(yùn)輸需求也會(huì)進(jìn)一步推高成本。因此，銀漿及相應(yīng)工藝技術(shù)的優(yōu)化有望帶來巨大降本空間。
電阻率偏高是低溫銀漿單耗居高不下的最直接原因。在優(yōu)化銀粉體系組成、固化體系基礎(chǔ)上，通過納米技術(shù)加持，可以獲得更低電阻，更低銀含量的低溫銀漿。在開發(fā)低阻漿料基礎(chǔ)上，通過細(xì)柵細(xì)線化配合圖形優(yōu)化可以帶來直接的銀耗降低。

另外，提效和降本的雙重壓力下，各大廠商多種融合工藝技術(shù)的探索，如SmartWire，分步印刷等，避開高銀耗量的主柵印刷或?qū)⒅鳀藕图?xì)柵漿料性能解耦，降低主柵漿料銀含量或引入部分賤金屬替代銀，大幅降低銀耗成本。